放电气隙对介质阻挡放电电学参量的影响

蔡忆昔; 王军; 庄凤芝; 王攀; 王静

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放电气隙对介质阻挡放电电学参量的影响

技术讨论 | 更新时间：2025-04-26

- 放电气隙对介质阻挡放电电学参量的影响
- Effects of Discharge Gap on Dielectric Barrier Discharge Parameters
- 高压电器 2009年45卷第2期页码：81-83
- 作者机构：
  
  江苏大学汽车与交通工程学院
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目（50776041）;江苏省高校自然科学重大基础研究项目（06KJA47004）
- DOI：
  中图分类号： TM835
- 纸质出版日期：2009
- 稿件说明：
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[1]蔡忆昔,王军,庄凤芝,王攀,王静.放电气隙对介质阻挡放电电学参量的影响[J].高压电器,2009,45(02):81-83.

CAI Yi-xi, WANG Jun, ZHUANG Feng-zhi, et al. Effects of Discharge Gap on Dielectric Barrier Discharge Parameters[J]. High voltageapparatus, 2009, 45(2): 81-83.
[1]蔡忆昔,王军,庄凤芝,王攀,王静.放电气隙对介质阻挡放电电学参量的影响[J].高压电器,2009,45(02):81-83. DOI：

CAI Yi-xi, WANG Jun, ZHUANG Feng-zhi, et al. Effects of Discharge Gap on Dielectric Barrier Discharge Parameters[J]. High voltageapparatus, 2009, 45(2): 81-83. DOI：

摘要

通过建立介质阻挡放电试验系统

采用Q-V Lissajous图形法研究了激励电压峰值VP-P、放电气隙lg对介质阻挡放电主要参量的影响。试验结果表明:增大VP-P、lg可提高介质阻挡放电的放电功率P;固定lg时

电介质层等效电容Cd随VP-P的增大而增大

放电间隙等效电容Cg随VP-P的增大而减小

VP-P对等效总电容C的影响不大;C、Cd、Cg均随lg增大而减小;电荷传输量Q、气隙等效电场强度Eg随VP-P的增大而升高

随lg的增大而降低。

Abstract

Through establishing DBD（dielectric barrier discharge） experiment system and Q-V Lissajous figure method

the effects of applied peak voltage（VP-P）and discharge gap（lg） on the main parameters of DSP are studied.The results show that increasing VP-P and lg can effectively enhance DBD power（P）;the effect of VP-P on the total equivalent capacitance（C） is little under certain lg

the dielectric equivalent capacitance（Cd） increases and the equivalent capacitance of the discharge gap（Cg） decreases with the increasing VP-P;C

and Cg all decrease with the increasing lg;the charge transfer value（Q）and effective electric field of the discharge gap（Eg） increase with the increase of VP-P

but decrease with the increase of lg.

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