您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
曝光量对介质阻挡放电照相的影响
更新时间:2025-04-26
    • 曝光量对介质阻挡放电照相的影响

    • EFFECT OF EXPOSURE ON THE DIELECTRIC BARRIER DISCHARGE PHOTOGRAPHY

    • 高压电器   2001年第1期 页码:14-16
    • 中图分类号: TM8
    • 纸质出版日期:2001

    移动端阅览

  • [1]翁明,陈启升,吴日赐.曝光量对介质阻挡放电照相的影响[J].高压电器,2001(01):14-16. DOI:

    WENG Ming 1, CHEN Qisheng 2, WU Rici 3. EFFECT OF EXPOSURE ON THE DIELECTRIC BARRIER DISCHARGE PHOTOGRAPHY[J]. High voltageapparatus, 2001, (1): 14-16. DOI:

  •  
  •  

0

浏览量

40

下载量

2

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

高压纳秒脉冲气体放电试验研究进展
纳秒脉冲电晕放电的衰减及电晕线电阻率对其的影响
纳秒级高压脉冲下变压器油中沿面闪络特性的实验研究
高压纳秒脉冲气体放电中X射线探测实验研究进展
常压单极性纳秒脉冲DBD模式的实验研究

相关作者

王珏
彭燕昌
高魏
严萍
孙广生
邵涛
叶齐政
杨海燕

相关机构

  北京100080  
  北京 100039  
  中国科学院研究生院  
  中国科学院电工研究所 北京100080  
  中国科学院电工研究所  
0