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纸质出版日期:1998
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[1]陈寿平.影响CuCr触头真空断路器开合并联电容器性能的主要因素[J].高压电器,1998(04):62-64.
影响CuCr触头真空断路器开合并联电容器性能的主要因素[J]. High voltageapparatus, 1998, (4): 62-64.
[1]陈寿平.影响CuCr触头真空断路器开合并联电容器性能的主要因素[J].高压电器,1998(04):62-64. DOI:
影响CuCr触头真空断路器开合并联电容器性能的主要因素[J]. High voltageapparatus, 1998, (4): 62-64. DOI:
利用激光散射技术
发现可以用微粒诱发击穿来解释真空断路器中偶尔发生的长延时重击穿的产生机理。
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CSCD
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