冲击电压下极不均匀场中SF<sub>6</sub>气体的击穿机理

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冲击电压下极不均匀场中SF₆气体的击穿机理

更新时间：2025-04-26

- 冲击电压下极不均匀场中SF₆气体的击穿机理
- 冲击电压下极不均匀场中SF₆气体的击穿机理
- 高压电器 1997年第1期页码：36-40
- 作者机构：
  
  1. 西安交通大学
  2. 西安交通大学 710049
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TM855
- 纸质出版日期：1997
- 稿件说明：
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[1]顾温国,邱毓昌.冲击电压下极不均匀场中SF_6气体的击穿机理[J].高压电器,1997(01):36-40.

冲击电压下极不均匀场中SF₆气体的击穿机理[J]. High voltageapparatus, 1997, (1): 36-40.
[1]顾温国,邱毓昌.冲击电压下极不均匀场中SF_6气体的击穿机理[J].高压电器,1997(01):36-40. DOI：

冲击电压下极不均匀场中SF₆气体的击穿机理[J]. High voltageapparatus, 1997, (1): 36-40. DOI：

摘要

极不均匀场中SF

6

的低概率冲击击穿是先导击穿。根据当前的研究结果

对击穿的发展过程和机理进行了论述

对击穿过程的计算机模拟及它的一个实际应用——伏秒特性也作了讨论。

Abstract

极不均匀场中SF

6

的低概率冲击击穿是先导击穿。根据当前的研究结果

对击穿的发展过程和机理进行了论述

对击穿过程的计算机模拟及它的一个实际应用——伏秒特性也作了讨论。

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