GIS中支撑绝缘子的表面电荷积聚

刘志民; 邱毓昌

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GIS中支撑绝缘子的表面电荷积聚

更新时间：2025-04-26

- GIS中支撑绝缘子的表面电荷积聚
- Charge Accummulation on the Spacer Surface in GIS
- 高压电器 1994年第3期页码：41-46
- 作者机构：
  
  1. 西安交通大学
  2. 西安交通大学 710049
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TM595
- 纸质出版日期：1994
- 稿件说明：
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[1]刘志民,邱毓昌.GIS中支撑绝缘子的表面电荷积聚[J].高压电器,1994(03):41-46.

Charge Accummulation on the Spacer Surface in GIS[J]. High voltageapparatus, 1994, (3): 41-46.
[1]刘志民,邱毓昌.GIS中支撑绝缘子的表面电荷积聚[J].高压电器,1994(03):41-46. DOI：

Charge Accummulation on the Spacer Surface in GIS[J]. High voltageapparatus, 1994, (3): 41-46. DOI：

摘要

阐述GIS中支撑绝缘子表面电荷积聚对沿面闪络特性的影响及其闪络机理

分析表面电荷的来源及影响电荷积聚的因素

并介绍利用电容探头测量绝缘子表面电荷分布的方法.

Abstract

The effect of spacer surface charge in GIS on the flashover charac-teristics along the gas/solid interface is described

and the factors influencing the surface charge accummulation are analysed. The capacitive probe method for mea-suring surface charge distribuion is also presented.

关键词

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