利用优异值预测SF<sub>6</sub>装置的绝缘强度

刘亚芳; 邱毓昌

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利用优异值预测SF₆装置的绝缘强度

更新时间：2025-04-26

- 利用优异值预测SF₆装置的绝缘强度
- The Prediction of the Dielectric Strength of Gas Insulated Apparatus with Figure-of-Merit
- 高压电器 1990年第1期页码：3-8
- 作者机构：
  
  西安交通大学
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1990
- 稿件说明：
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[1]刘亚芳,邱毓昌.利用优异值预测SF_6装置的绝缘强度[J].高压电器,1990(01):3-8.

The Prediction of the Dielectric Strength of Gas Insulated Apparatus with Figure-of-Merit[J]. High voltageapparatus, 1990, (1): 3-8.
[1]刘亚芳,邱毓昌.利用优异值预测SF_6装置的绝缘强度[J].高压电器,1990(01):3-8. DOI：

The Prediction of the Dielectric Strength of Gas Insulated Apparatus with Figure-of-Merit[J]. High voltageapparatus, 1990, (1): 3-8. DOI：

摘要

本文的实验和计算结果表明

应用SF

气体的优异值M

不仅能方便地预测电极表面粗糙情况下SF

气体或混合气体的击穿门槛E

而且可以预测具有光洁表面电极的非均匀电场间隙的绝缘强度。

Abstract

The results of experiments and calculations in the present paper show that the applications of the figure-of-merit（M）of gaseous dielectric not only make it convenient to calculate E0/P of gases or gas mixtures in the presence of electrode surface roughness

but also make it possible to predict the insulation strength of non-uniform electric field formed by smooth and clean electrodes.

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The Prediction of the Dielectric Strength of Gas Insulated Apparatus with Figure-of-Merit

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