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纸质出版日期:1990
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[1]尹新芳.诊断接触不良的新设备[J].高压电器,1990(03):61.
诊断接触不良的新设备[J]. High voltageapparatus, 1990, (3): 61.
[1]尹新芳.诊断接触不良的新设备[J].高压电器,1990(03):61. DOI:
诊断接触不良的新设备[J]. High voltageapparatus, 1990, (3): 61. DOI:
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正> 金属封团式SF
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组合电器(GIS)的断路器、隔离开关、母线的连接部分
都在密封的罐体中。由于在运行过程中的振动以及接触面被膜等影响下出现接触不良
往往酝酿成温度升高而引起绝缘破坏事故。目前
因为接触不良
已成了GIS经常发生事故的原因之一。为了对接触部位进行诊断
过去用测量接触电阻、温度上升情况等办法
但是
前者正在运行过程中不能测量
后者在影响速度及定量方面也不尽完善。 如果发生接触不良
一般的发展过程是这样的:处于正常运行状态的设备
由于受到地震
机械振动等外部力的影响
在接触表面形成隔膜
导致接触不良。这样一来
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CSCD
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