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GIS/GIL绝缘件潜隐性缺陷形成机理与无损检测技术研究进展
高压开关与GIS/GIL设备技术 | 更新时间:2026-09-10
    • GIS/GIL绝缘件潜隐性缺陷形成机理与无损检测技术研究进展

    • Research Progress on Formation Mechanisms of Latent Defects and Non-destructive Testing Techniques for GIS/GIL Insulators

    • 高压电器   2026年62卷第9期 页码:1-14,32
    • DOI:10.13296/j.1001-1609.hva.2026.09.001    

      中图分类号:
    • 收稿:2026-04-12

      修回:2026-05-21

      纸质出版:2026-09-16

    移动端阅览

  • 贺春, 何金, 赵思源, 等. GIS/GIL绝缘件潜隐性缺陷形成机理与无损检测技术研究进展[J]. 高压电器, 2026,62(9):1-14,32. DOI: 10.13296/j.1001-1609.hva.2026.09.001.

    HE Chun, HE Jin, ZHAO Siyuan, et al. Research Progress on Formation Mechanisms of Latent Defects and Non-destructive Testing Techniques for GIS/GIL Insulators[J]. High Voltage Apparatus, 2026, 62(9): 1-14,32. DOI: 10.13296/j.1001-1609.hva.2026.09.001.

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