DCB技术应用在真空灭弧室封接中的探索研究

徐思华; 徐传骧; 崔秀芳

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DCB技术应用在真空灭弧室封接中的探索研究

更新时间：2025-04-26

- DCB技术应用在真空灭弧室封接中的探索研究
- RESEARCH ON THE APPLICATION OF DCB TECHNOLOGY IN THE BONDING OF HIGH VOLTAGE VACUUM INTERRUPTER
- 高压电器 2002年第5期页码：29-32
- 作者机构：
  
  1. 西安交通大学电气绝缘研究所
  2. 西安交通大学电气绝缘研究所陕西西安710049
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TM561
- 纸质出版日期：2002
- 稿件说明：
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[1]徐思华,徐传骧,崔秀芳.DCB技术应用在真空灭弧室封接中的探索研究[J].高压电器,2002(05):29-32.

XU Si-hua, XU Chuan-xiang, CUI Xiu-fang. RESEARCH ON THE APPLICATION OF DCB TECHNOLOGY IN THE BONDING OF HIGH VOLTAGE VACUUM INTERRUPTER[J]. High voltageapparatus, 2002, (5): 29-32.
[1]徐思华,徐传骧,崔秀芳.DCB技术应用在真空灭弧室封接中的探索研究[J].高压电器,2002(05):29-32. DOI：

XU Si-hua, XU Chuan-xiang, CUI Xiu-fang. RESEARCH ON THE APPLICATION OF DCB TECHNOLOGY IN THE BONDING OF HIGH VOLTAGE VACUUM INTERRUPTER[J]. High voltageapparatus, 2002, (5): 29-32. DOI：

摘要

围绕真空灭弧室关键技术———金属与陶瓷件间的封接

开展了新型封接工艺———DCB技术封接真空灭弧室的探索研究。对封接强度进行了研究与分析

弄清了Cu-Al2O3瓷DCB键合强度随Cu表面含氧量变化的规律

并就含氧量对键合强度的影响进行了较深入的研究。

Abstract

In this paper

a new bonding technology-- - Direct Copper-ceramic Bonding（DCB）is applied to the bonding of high voltage vacuum interrupter.The bonding strength of DCB has been studied and analyzed.The law on bonding strength with the variety of Cu 2 O-content on metallic copper surface has been found out.And the effects of Cu 2 O-content on bonding strength have been studied deeply.

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