碳化硅阀片放电产生的辐射量计算

王国按; 杨保初; 杨进喜; 张茂华

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碳化硅阀片放电产生的辐射量计算

更新时间：2025-05-24

- 碳化硅阀片放电产生的辐射量计算
- Radiation Energy from SiC Disc Discharging
- 高压电器 1994年第6期页码：28-31
- 作者机构：
  
  1.   重庆大学
  2.   贵州遵义地区医院
  3.   四川綦江县卫生防疫站 630044
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金
- DOI：
  中图分类号： TN307
- 纸质出版日期：1994
- 稿件说明：
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[1]王国按,杨保初,杨进喜,张茂华.碳化硅阀片放电产生的辐射量计算[J].高压电器,1994(06):28-31.

Radiation Energy from SiC Disc Discharging[J]. High voltageapparatus, 1994, (6): 28-31.
[1]王国按,杨保初,杨进喜,张茂华.碳化硅阀片放电产生的辐射量计算[J].高压电器,1994(06):28-31. DOI：

Radiation Energy from SiC Disc Discharging[J]. High voltageapparatus, 1994, (6): 28-31. DOI：

摘要

用等离子体理论计算了阀片放电通道产生的X射线剂量

并用热释光计量法进行了实测.

Abstract

The X-rays energy radiated from the discharging path in the SiC disc aging test was measured by means of TLD （Thermoluminescent Dosimetry） and computed using plasma theory

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