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西安交通大学
纸质出版日期:1990
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[1]邱毓昌,吴正宇,邱向群.GIS抽真空时绝缘电阻降低的原因[J].高压电器,1990(06):36-37.
GIS抽真空时绝缘电阻降低的原因[J]. High voltageapparatus, 1990, (6): 36-37.
[1]邱毓昌,吴正宇,邱向群.GIS抽真空时绝缘电阻降低的原因[J].高压电器,1990(06):36-37. DOI:
GIS抽真空时绝缘电阻降低的原因[J]. High voltageapparatus, 1990, (6): 36-37. DOI:
<正> 1990年第3期《高压电器》刊登的《乌江渡发电厂GIS击穿事故分析》一文
在对事故进行分析后
提出在处理故障隔室时发现的一个问题
即GIS在抽真空的状态下绝缘电阻剧烈下降
其值约比充气时小3到4个数量级。本文就这一问题提出我们的分析和实验验证的结果。 电介质在直流电压作用下产生的电流
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