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Published:1988
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[J]. High voltageapparatus, 1988, (2): 55-59.
DOI:
[J]. High voltageapparatus, 1988, (2): 55-59. DOI:
一、前言 一些研究人员曾经证实:对真空电弧外施一个纵磁场
可以增进其断流容量
并阐明了稳定电弧的最佳磁场与电弧电流和触头间隙之间的关系。 作者所进行的研究
使纵磁场触头得以实用化
并制成了装有纵磁场触头的真空断路器。十年来
我们在研制高电压和大容量真空断路器的同时
利用这种纵磁触头生产了各种额定参数的真空断路器。我们已完成了
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