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西安交通大学
Published:1988
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[J]. High voltageapparatus, 1988, (2): 3-10.
DOI:
[J]. High voltageapparatus, 1988, (2): 3-10. DOI:
本文通过在合成回路上进行的试验
研究了具有纵向磁场结构的真空断路器分。合短路电流时的触头运动特性
并对触头系统的电动力进行了分析与计算。
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