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Published:1985
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[J]. High voltageapparatus, 1985, (2): 23-28.
DOI:
[J]. High voltageapparatus, 1985, (2): 23-28. DOI:
本文分析了目前几种真空灭弧室的触头结构
探讨了各种不同结构触头的发展前途。对三种不同触头结构真空灭弧室
在同样尺寸条件下
在12.5千安电流时
利用合成回路
进行分断能力试验。同时着重对纵向磁场触头的磁场分布作了测试
证实新设计的纵向磁场触头结构真空灭弧室具有较多的优点和广泛的发展前途。
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