影响CuCr触头真空断路器开合并联电容器性能的主要因素

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

影响CuCr触头真空断路器开合并联电容器性能的主要因素

更新时间：2025-04-26

- 影响CuCr触头真空断路器开合并联电容器性能的主要因素
- High VoltageApparatus Issue 4, Pages: 62-64(1998)
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC： TM561
- Published：1998
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]陈寿平.影响CuCr触头真空断路器开合并联电容器性能的主要因素[J].高压电器,1998(04):62-64.

影响CuCr触头真空断路器开合并联电容器性能的主要因素[J]. High voltageapparatus, 1998, (4): 62-64.
[1]陈寿平.影响CuCr触头真空断路器开合并联电容器性能的主要因素[J].高压电器,1998(04):62-64. DOI：

影响CuCr触头真空断路器开合并联电容器性能的主要因素[J]. High voltageapparatus, 1998, (4): 62-64. DOI：

摘要

利用激光散射技术

发现可以用微粒诱发击穿来解释真空断路器中偶尔发生的长延时重击穿的产生机理。

Abstract

利用激光散射技术

发现可以用微粒诱发击穿来解释真空断路器中偶尔发生的长延时重击穿的产生机理。

关键词

Keywords

references

0

Views

52

下载量

2

CSCD

Alert me when the article has been cited

提交

Tools

Publicity Resources

Related Articles

No data

Related Author

No data

Related Institution

No data

⁰