用于脉冲功率技术中的离子束断路开关

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用于脉冲功率技术中的离子束断路开关

更新时间：2025-04-26

- 用于脉冲功率技术中的离子束断路开关
- High VoltageApparatus Issue 2, Pages: 57-60(1998)
- 作者机构：
  
  1. 西安交通大学
  2. 西安交通大学 710049
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC： TM564
- Published：1998
- 稿件说明：
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[1]白峰,邱毓昌.用于脉冲功率技术中的离子束断路开关[J].高压电器,1998(02):57-60.

用于脉冲功率技术中的离子束断路开关[J]. High voltageapparatus, 1998, (2): 57-60.
[1]白峰,邱毓昌.用于脉冲功率技术中的离子束断路开关[J].高压电器,1998(02):57-60. DOI：

用于脉冲功率技术中的离子束断路开关[J]. High voltageapparatus, 1998, (2): 57-60. DOI：

摘要

介绍用于真空储能装置中的离子束断路开关——IBOS。它是利用高速低密离子束代替低密中速等离子体融蚀断路开关“等离子体”而形成的

从而获得了更短的开断时间（<4ns）。

Abstract

介绍用于真空储能装置中的离子束断路开关——IBOS。它是利用高速低密离子束代替低密中速等离子体融蚀断路开关“等离子体”而形成的

从而获得了更短的开断时间（<4ns）。

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