真空间隙击穿机理的分析

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真空间隙击穿机理的分析

更新时间：2025-04-26

- 真空间隙击穿机理的分析
- High VoltageApparatus Issue 3, Pages: 34-36(1997)
- 作者机构：
  
  1.   华中理工大学
  2.   上海铁道大学武汉430074
  3.   200333
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC： TM855
- Published：1997
- 稿件说明：
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[1]李震彪,程礼椿,张逸成.真空间隙击穿机理的分析[J].高压电器,1997(03):34-36.

真空间隙击穿机理的分析[J]. High voltageapparatus, 1997, (3): 34-36.
[1]李震彪,程礼椿,张逸成.真空间隙击穿机理的分析[J].高压电器,1997(03):34-36. DOI：

真空间隙击穿机理的分析[J]. High voltageapparatus, 1997, (3): 34-36. DOI：

摘要

论述了真空间隙击穿的三种机理（微放电、微粒迁移和场致电子发射）。通过定量的击穿机理分析表明

真空触头间隙击穿的主要原因是:微粒迁移和场致发射引起的阳极蒸发。

Abstract

论述了真空间隙击穿的三种机理（微放电、微粒迁移和场致电子发射）。通过定量的击穿机理分析表明

真空触头间隙击穿的主要原因是:微粒迁移和场致发射引起的阳极蒸发。

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