IEC TC42的1989年巴黎会议

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IEC TC42的1989年巴黎会议

更新时间：2025-04-26

- IEC TC42的1989年巴黎会议
- High VoltageApparatus Issue 4, Pages: 60-61(1990)
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- Published：1990
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[1]余存仪.IEC TC42的1989年巴黎会议[J].高压电器,1990(04):60-61.

IEC TC42的1989年巴黎会议[J]. High voltageapparatus, 1990, (4): 60-61.
[1]余存仪.IEC TC42的1989年巴黎会议[J].高压电器,1990(04):60-61. DOI：

IEC TC42的1989年巴黎会议[J]. High voltageapparatus, 1990, (4): 60-61. DOI：

<正> 一、概况根据1987年悉尼会议决定

IEC TC42于1989年10月3日至6日在法国巴黎举行会议。这次会议主要讨论了三份文件: （1）文件“42（Secretariat）56高电压试验技术”修改稿。（2）文件“42（Secretariat）55高压冲击试验用的数字记录仪”修改稿

（3）文件“42（Secretariat）57低压设备的高电压试验技术”草稿。出席这次会议的共有32位代表

分别来自16个国家的研究所、高等学校和工厂。其中除东道国8位代表外

日本代表最多、共6位。

<正> 一、概况根据1987年悉尼会议决定

（3）文件“42（Secretariat）57低压设备的高电压试验技术”草稿。出席这次会议的共有32位代表

分别来自16个国家的研究所、高等学校和工厂。其中除东道国8位代表外

日本代表最多、共6位。

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