特高压试验设备屏蔽电极设计的新观点

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特高压试验设备屏蔽电极设计的新观点

更新时间：2025-05-17

- 特高压试验设备屏蔽电极设计的新观点
- High VoltageApparatus Issue 6, Pages: 21-26(1981)
- 作者机构：
  
  上海交大电工及计算机科学系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC：
- Published：1981
- 稿件说明：
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[1]唐耀宗,陈亚珠.特高压试验设备屏蔽电极设计的新观点[J].高压电器,1981(06):21-26.

特高压试验设备屏蔽电极设计的新观点[J]. High voltageapparatus, 1981, (6): 21-26.
[1]唐耀宗,陈亚珠.特高压试验设备屏蔽电极设计的新观点[J].高压电器,1981(06):21-26. DOI：

特高压试验设备屏蔽电极设计的新观点[J]. High voltageapparatus, 1981, (6): 21-26. DOI：

摘要

近年来国外对怎样经济合理地设计超高压设备屏蔽罩问题进行了不少研究工作

根据长间隙在操作波作用下的放电机理

提出了对电压在2兆伏以上屏蔽电极结构尺寸的新的设计观点

本文详细介绍了这方面的情况。

Abstract

近年来国外对怎样经济合理地设计超高压设备屏蔽罩问题进行了不少研究工作

根据长间隙在操作波作用下的放电机理

提出了对电压在2兆伏以上屏蔽电极结构尺寸的新的设计观点

本文详细介绍了这方面的情况。

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