绝缘子表面氟化对金属颗粒的活性抑制

doi:10.13296/j.1001-1609.hva.2023.12.023

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绝缘子表面氟化对金属颗粒的活性抑制

更新时间：2025-04-26

- 绝缘子表面氟化对金属颗粒的活性抑制
- High VoltageApparatus Vol. 59, Issue 12, Pages: 195-200(2023)
- 作者机构：
  
  1. 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院
  2. 国网宁夏电力有限公司
  3. 同济大学电气工程系
  4. 国网宁夏电力有限公司吴忠供电公司
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13296/j.1001-1609.hva.2023.12.023
  CLC： TM216
- Published：2023
- 稿件说明：
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[J]. High voltageapparatus, 2023, 59(12): 195-200.
DOI：

[J]. High voltageapparatus, 2023, 59(12): 195-200. DOI： 10.13296/j.1001-1609.hva.2023.12.023.

摘要

异物放电为GIS/GIL设备运行过程中绝缘击穿的主要原因，为提升设备运行过程中内部异物起始电压，文中开展了绝缘子表面直接氟化提升异物下绝缘性能研究。搭建了绝缘子直接氟化处理系统及220 kV GIS真型试验系统，开展了126 kV绝缘子表面氟化前后设备内部无异物缺陷、绝缘子表面异物吸附缺陷、罐体表面自由异物缺陷等状态下直流耐受性能试验。发现0.2 MPa SF6气体环境下，氟化绝缘子平均闪络电压较未氟化提升13.5%，氟化绝缘子表面异物吸附平均闪络电压较未氟化绝缘子提升21.5%

126 k V氟化绝缘子下罐体内部自由金属异物最低闪络电压较未氟化绝缘子提升18.6%，相应的试验结果可为GIS/GIL内部异物活性抑制提供支撑。

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